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S5PV210-arm裸機(jī)-inand等

發(fā)布時(shí)間:2020-08-16 00:12:54 來源:網(wǎng)絡(luò) 閱讀:396 作者:小溢 欄目:開發(fā)技術(shù)


SRAM,DRAM,DDR等這些是內(nèi)存ram,可以隨意的任意的去訪問任意地址的任意字節(jié)。




flash:外部的存儲(chǔ)器,外存,閃存。


Nandflash Norflash,也是外存。Norflash可以總線式的去訪問。  他們在不同的型號(hào)之間接口是不一樣的,讀寫時(shí)序很麻煩。

Nandflash 有兩種一中是SLC,MLC,MLC可以做的很大很便宜。缺點(diǎn)是容易壞塊。


iNand movnand,essd是外存,是目前和將來的趨勢,他是做成芯片的樣子的,接口一直,內(nèi)部有一個(gè)flash管理模塊,這個(gè)模塊最重要的功能的就是可以幫助我們處理壞塊的問題,不用我們在去用軟件自己解決壞塊的問題。內(nèi)部一部分是存儲(chǔ)的flash,另一部分可以看成是一個(gè)MCU,flash管理模塊。


SD卡,TF卡等,

這些也是外存。

外存是rom,我們?nèi)ピL問他們的外存空間時(shí)不可以隨意的任意的去訪問,不能想訪問哪一個(gè)地址的哪一個(gè)字節(jié)就可以訪問哪一個(gè)地址的哪一個(gè)字節(jié),只能塊的去訪問,如,512字節(jié)的去訪問。














向AI問一下細(xì)節(jié)

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