MRAM工作原理技術(shù)是什么

發(fā)布時(shí)間：2021-12-03 10:48:14 來(lái)源：億速云閱讀：115 作者：柒染欄目：互聯(lián)網(wǎng)科技

今天就跟大家聊聊有關(guān)MRAM工作原理技術(shù)是什么，可能很多人都不太了解，為了讓大家更加了解，小編給大家總結(jié)了以下內(nèi)容，希望大家根據(jù)這篇文章可以有所收獲。

RAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。非易失性MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM存儲(chǔ)器的速度結(jié)合在一起并同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM存儲(chǔ)芯片可以抵抗高輻射及可以在極端溫度條件下運(yùn)行并且可以防篡改。本篇文章everspin代理介紹關(guān)于MRAM的工作原理技術(shù)。

MRAM芯片中的數(shù)據(jù)是由磁存儲(chǔ)元件存儲(chǔ)。這些元素是由兩塊鐵磁板組成的，兩塊鐵磁板之間隔著一層薄薄的絕緣層，每一塊鐵磁板都能保持磁化。這種結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為磁隧道結(jié)(MTJ)。兩塊極板中的一塊是在制造期間被設(shè)置為特定極性的永磁體;另一塊板的磁化率可以隨存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行改變。瑞薩電子最近增加了MRAM器件，該器件使用了一種基于垂直磁隧道結(jié)(p-MTJ)的專(zhuān)有自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM (STT-MRAM)。p-MTJ包括固定且不可改變的磁層、電介質(zhì)阻擋層和可改變的鐵磁存儲(chǔ)層。

MRAM工作原理技術(shù)是什么

在編程操作中，根據(jù)p-MTJ元素的電流方向，存儲(chǔ)層的磁場(chǎng)方向從平行狀態(tài)(低電阻狀態(tài)“0”)電切換到反平行狀態(tài)(高電阻狀態(tài)“1。這兩種不同的電阻狀態(tài)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和感測(cè)。

看完上述內(nèi)容，你們對(duì)MRAM工作原理技術(shù)是什么有進(jìn)一步的了解嗎？如果還想了解更多知識(shí)或者相關(guān)內(nèi)容，請(qǐng)關(guān)注億速云行業(yè)資訊頻道，感謝大家的支持。

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