ram是不是指運(yùn)行內(nèi)存

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ram是運(yùn)行內(nèi)存，ram的英文全稱是Random Access Memory，表示隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；ram也是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器；RAM可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。

運(yùn)行內(nèi)存，也稱作主存，是指程序運(yùn)行時(shí)需要的內(nèi)存，只能臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)用于與CPU交換高速緩存數(shù)據(jù)，一般多指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，RAM）。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)陣列中任意位置的存儲(chǔ)單元都能以隨機(jī)次序迅速地寫入和讀出數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。是計(jì)算機(jī)保存操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)的地方，與硬盤或其他存儲(chǔ)設(shè)備不同，它可以使處理器更為迅速獲得數(shù)據(jù)，但是關(guān)機(jī)后在RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將全部丟失。用戶再次開機(jī)時(shí)，計(jì)算機(jī)將自動(dòng)將操作系統(tǒng)和其他文件（通常由硬盤）再次裝載入RAM。RAM類似于人的短期記憶，硬盤類似于人的長(zhǎng)期記憶。短期記憶針對(duì)當(dāng)前的工作，可以同時(shí)存儲(chǔ)許多數(shù)據(jù)。長(zhǎng)期記憶可被短期記需要刷新。具有以下特點(diǎn)：

隨機(jī)存取

所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的消息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對(duì)地，有串行訪問存儲(chǔ)器包括順序訪問存儲(chǔ)器（如磁帶）和直接訪問存儲(chǔ)器（如磁盤）。

易失性

當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM則不會(huì)。

較高的訪問速度

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，訪問延遲也和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備（如硬盤、光盤驅(qū)動(dòng)器）相比，也顯得微不足道。但速度仍然不如作為CPU緩存用的SRAM。

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進(jìn)制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，電荷會(huì)漸漸隨時(shí)間流失而使數(shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤。刷新是指重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。DRAM的讀取即有刷新的功效，但一般的定時(shí)刷新并不需要作完整的讀取，只需作該芯片的一個(gè)列（Row）選擇，整列的數(shù)據(jù)即可獲得刷新，而同一時(shí)間內(nèi)，所有相關(guān)記憶芯片均可同時(shí)作同一列選擇，因此，在一段期間內(nèi)逐一做完所有列的刷新，即可完成所有存儲(chǔ)器的刷新。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

對(duì)靜電敏感

正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。

RAM可被分為兩大類：主存，它用于保存各種處理器需要使 用的數(shù)據(jù)，可以加快計(jì)算機(jī)的運(yùn)算速度；顯存，它用于保存將要顯示在顯示器上的圖形信息，可以使顯示速度大大加快。主存又可以被分為SRAM和DRAM兩種。SRAM 是一種價(jià)格比較貴的存儲(chǔ)器，而且占用的物理空間比較大，難于集成，但是因?yàn)樗挥盟⑿?，所以訪問速度快。SRAM通常用于一級(jí) 緩存和二級(jí)緩存。DRAM因?yàn)槭褂秒娙?，所以必須間隔一定時(shí)間對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行刷新，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。對(duì)DRAM來說，在每次讀取實(shí)際上是一次放電，都必須對(duì)電容進(jìn)行充電，保證其內(nèi)容的有效性，即使不對(duì)它進(jìn)行讀取，每15毫秒也需要對(duì)它進(jìn)行一次刷新，它的價(jià)格是RAM中最便宜的。

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