iPhone 6 Plus頻現(xiàn)崩潰與TLC有什么關(guān)系

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根據(jù)外電報(bào)道，iPhone 6 Plus傳出手機(jī)因存儲(chǔ)介質(zhì)導(dǎo)致的嚴(yán)重問(wèn)題，手機(jī)系統(tǒng)會(huì)發(fā)生崩潰、不斷重啟等現(xiàn)象。若情況屬實(shí)，蘋(píng)果很可能會(huì)全面召回iPhone 6 Plus手機(jī)。

《AppleInsider》就曾報(bào)道，iPhone 6 Plus只要使用者安裝超過(guò)700項(xiàng)應(yīng)用程序后，手機(jī)系統(tǒng)就會(huì)發(fā)生問(wèn)題，不斷重新開(kāi)機(jī)。有不少使用者都發(fā)生上述的情況，其中以128GB的機(jī)種情況最嚴(yán)重。

蘋(píng)果很有可能為了減少大尺寸、大容量機(jī)款的成本，選擇了穩(wěn)定度較差的NAND快閃記憶體，其中的控制IC很有可能就是罪魁禍?zhǔn)住?/p>

報(bào)道指出，蘋(píng)果所采用的閃存存儲(chǔ)介質(zhì)為三階儲(chǔ)存單元(TLC)，代表1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3位元，比單階儲(chǔ)存單元(SLC)、多階儲(chǔ)存單元(MLC)多上2到3倍，傳輸速度卻不如SLC或MLC，因而價(jià)格也比較便宜，最要命的是壽命短，擦寫(xiě)次數(shù)1000次左右遠(yuǎn)低于SLC和MLC。

對(duì)于TLC NAND閃存而言，要盡量降低讀寫(xiě)次數(shù)至關(guān)重要。由于本身的擦寫(xiě)次數(shù)有限，頻繁的大量寫(xiě)入數(shù)據(jù)是TLC閃存不能承受的。對(duì)于大多數(shù)MLC固態(tài)硬盤(pán)而言，NAND閃存的耐用性并不是什么問(wèn)題，但是對(duì)于TLC固態(tài)硬盤(pán)而言，耐用性卻是其致命的軟肋，這就對(duì)主控提出了更高的要求。

2009年TLC架構(gòu)正式問(wèn)世，2012年第三季度三星率先發(fā)布了第一款TLC固態(tài)硬盤(pán)，兩年來(lái)也只有三星一家有TLC硬盤(pán)，直到最近閃迪才推出了TLC固態(tài)盤(pán)，截至當(dāng)前全球范圍內(nèi)也僅此兩家，可見(jiàn)業(yè)內(nèi)對(duì)于TLC技術(shù)的應(yīng)用還比較謹(jǐn)慎，對(duì)于技術(shù)或者市場(chǎng)上的考慮都比較多。

TLC的應(yīng)用為何有日漸火熱趨勢(shì)呢？首先是SSD容量的增長(zhǎng)使得可靠性不再是問(wèn)題。另外，負(fù)責(zé)讀寫(xiě)SSD閃存的主控/DSP技術(shù)每年也在進(jìn)步中。舉例來(lái)說(shuō)，容量從64GB提高到128GB，SSD的使用壽命提高了一倍，容量再提高到256GB，那么使用壽命還會(huì)再次翻倍。做一些優(yōu)化工作之后，蘋(píng)果128GB采用TLC之后的可以說(shuō)是解決了壽命方面的問(wèn)題。

一般來(lái)說(shuō)TLC應(yīng)用較多的也還僅限于一些廉價(jià)的閃盤(pán)，不同于單純的存儲(chǔ)介質(zhì)的是，手機(jī)上的存儲(chǔ)空間需要與處理器做各種數(shù)據(jù)交流，這與PC機(jī)上的硬盤(pán)的關(guān)系比較類似，我們可以認(rèn)為PC端TLC SSD技術(shù)的成熟之后手機(jī)端TLC存儲(chǔ)介質(zhì)也會(huì)受益。

蘋(píng)果iPhone 6 Plus 128GB存儲(chǔ)介質(zhì)采用的是海力士的產(chǎn)品，提及海力士，很多人的第一反應(yīng)都能聯(lián)想到內(nèi)存芯片。大多數(shù)人對(duì)于海力士的TLC存儲(chǔ)產(chǎn)品還都比較陌生，其實(shí)業(yè)內(nèi)三星(Samsung)、美光(Micron)、海力士(Hynix)等擁有自己控制器的公司，出現(xiàn)上述問(wèn)題很多人想到了存儲(chǔ)控制器的問(wèn)題，我們只能私下里猜測(cè)是海力士自己的主控技術(shù)出了問(wèn)題。

大數(shù)據(jù)在線認(rèn)為隨著主控技術(shù)的穩(wěn)步提升，TLC已經(jīng)開(kāi)始在閃存領(lǐng)域形成一個(gè)細(xì)分市場(chǎng)，未來(lái)會(huì)得到更多應(yīng)用，并且會(huì)繼續(xù)拉低閃存的價(jià)格，不過(guò)由于其擦寫(xiě)次數(shù)的天生受限，TLC未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)的核心在于主控技術(shù)，類似iPhone 6 Plus這樣因?yàn)門LC崩潰的問(wèn)題未來(lái)仍然在所難免。

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