NAND FLASH版本核心板使用示例分析

本篇文章為大家展示了NAND FLASH版本核心板使用示例分析，內(nèi)容簡明扼要并且容易理解，絕對能使你眼前一亮，通過這篇文章的詳細介紹希望你能有所收獲。

前言

NAND FLASH版本和eMMC版本核心板使用方法基本一致。本文主要描述NAND FLASH版本與eMMC版本核心板在使用方面的不同之處，相同之處將不重復描述。

1.U-Boot編譯

進行U-Boot編譯選項配置時，請執(zhí)行如下命令。

Host# make ARCH=arm CROSS_COMPILE=arm-linux-gnueabihf- am335x_evm_nandboot_config

圖 1

我司提供經(jīng)過驗證的U-Boot鏡像文件位于產(chǎn)品資料“4-軟件資料/Linux/U-Boot/image/u-boot-2017.01-gad3370e-v2.1/”目錄下，分別為MLO-nand、u-boot.img-nand。系統(tǒng)啟動卡制作完成后，請將MLO-nand和u-boot.img-nand文件復制到系統(tǒng)啟動卡BOOT分區(qū)下，備份原有的eMMC版本MLO、u-boot.img文件，并將MLO-nand和u-boot.img-nand文件重命名為MLO、u-boot.img。

圖 3

2.基礎設備樹文件編譯

基礎設備樹源文件為內(nèi)核源碼“arch/arm/boot/dts”目錄下的tl335x-evm-nandflash.dts和tl335x-evm-nandflash-hdmi.dts，重新編譯基礎設備樹時請使用此文件。我司提供經(jīng)過驗證的基礎設備樹文件為產(chǎn)品資料“4-軟件資料/Linux/Kernel/image/linux-rt-4.9.65-gd8e636c-v2.1/”目錄下的tl335x-evm-nandflash.dtb和tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb，請將其分別復制到系統(tǒng)啟動卡rootfs分區(qū)以及rootfs-backup分區(qū)的boot目錄下。

圖 4

請執(zhí)行如下命令將tl335x-evm.dtb軟鏈到tl335x-evm-nandflash.dtb文件。tl335x-evm-nandflash.dtb支持LCD顯示，如需使用HDMI顯示，則將tl335x-evm.dtb軟鏈到tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb文件即可。

Host# sudo rm tl335x-evm.dtb

Host# sudo ln -s tl335x-evm-nandflash.dtb tl335x-evm.dtb

Host# ls -l

圖 5

使用替換了U-Boot和基礎設備樹文件的Linux系統(tǒng)啟動卡啟動評估板，進入文件系統(tǒng)執(zhí)行如下命令可查看到NAND FLASH分區(qū)信息，即說明文件替換成功。

Host# cat /proc/mtd

圖 7

• 固化Linux系統(tǒng)

Linux系統(tǒng)啟動卡制作時，已將系統(tǒng)固化的腳本文件mknandboot.sh復制到了Linux系統(tǒng)啟動卡文件系統(tǒng)的“/opt/tools/make-system”目錄下。

圖 8

執(zhí)行如下命令進行一鍵固化。

Target# /opt/tools/make-system/mknandboot.sh

圖 9

腳本會進行如下操作：

1. 擦除SPI FLASH、NAND FLASH。

2. 將Linux系統(tǒng)啟動卡BOOT分區(qū)中的U-Boot固化到SPI FLASH對應分區(qū)。

3. 將Linux系統(tǒng)啟動卡BOOT分區(qū)中的LOGO固化到NAND FLASH對應分區(qū)。

4. 將Linux系統(tǒng)啟動卡rootfs-backup分區(qū)中的文件系統(tǒng)boot目錄下的內(nèi)核鏡像和基礎設備樹文件固化到NAND FLASH對應分區(qū)。

5. 將Linux系統(tǒng)啟動卡rootfs-backup分區(qū)中的文件系統(tǒng)固化到NAND FLASH對應分區(qū)。

用時約5~10min，Linux系統(tǒng)固化成功，同時串口調(diào)試終端打印提示信息。

備注：腳本文件會將設備樹文件和內(nèi)核鏡像固化到SPI FLASH中，實際啟動并不會從SPI FLASH中加載設備樹和內(nèi)核鏡像。

4.從SPI+NAND FLASH啟動系統(tǒng)

評估板斷電，將Linux系統(tǒng)啟動卡從評估板Micro SD卡槽中取出，根據(jù)評估底板絲印將撥碼開關撥為10010（1～5），此檔位為SPI FLASH啟動模式。評估板上電，串口調(diào)試終端將會打印如下類似啟動信息。

圖 11

5.NAND FLASH讀寫測試

本章節(jié)對NAND FLASH的MTD11分區(qū)進行讀寫速度測試。MTD11是NAND FLASH的備用分區(qū)，一般存放小型文件系統(tǒng)，大小為32MByte。讀寫測試會將該分區(qū)內(nèi)容擦除，請做好數(shù)據(jù)備份。

執(zhí)行如下命令查詢NAND FLASH分區(qū)，確認MTD11分區(qū)大小（讀寫請勿超出分區(qū)大?。瑢⒃摲謪^(qū)內(nèi)容擦除。

Target# cat /proc/mtd

Target# flash_erase /dev/mtd11 0 0

圖 13

此處一共寫30MByte測試數(shù)據(jù)到NAND FLASH的MTD11分區(qū)下，可看到本次測試的NAND FLASH寫速度約為：30MB/8.24s=3.64MB/s。

• NAND FLASH讀速度測試

重啟評估板，進入評估板文件系統(tǒng)，執(zhí)行如下命令對NAND FLASH進行讀速度測試。

Target# time dd if=/dev/mtd11 of=/dev/null bs=1024k count=30

圖 14

此處從NAND FLASH的MTD11分區(qū)讀取30MByte數(shù)據(jù)，可看到本次測試的NAND FLASH讀速度約為：30MB/4.47s=6.71MB/s。

上述內(nèi)容就是NAND FLASH版本核心板使用示例分析，你們學到知識或技能了嗎？如果還想學到更多技能或者豐富自己的知識儲備，歡迎關注億速云行業(yè)資訊頻道。