Android中如何自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存大小

這篇“Android中如何自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存大小”文章的知識(shí)點(diǎn)大部分人都不太理解，所以小編給大家總結(jié)了以下內(nèi)容，內(nèi)容詳細(xì)，步驟清晰，具有一定的借鑒價(jià)值，希望大家閱讀完這篇文章能有所收獲，下面我們一起來(lái)看看這篇“Android中如何自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存大小”文章吧。

1、MINI6410的內(nèi)存硬件結(jié)構(gòu)與尋址關(guān)系

在MINI6410上的內(nèi)存硬件結(jié)構(gòu)：

對(duì)于MINI6410的設(shè)計(jì)，用了兩塊引腳兼容的DDR內(nèi)存芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)128MB內(nèi)存和256MB內(nèi)存可共用一個(gè)PCB。
128MB內(nèi)存使用的是兩片K4X51163PG（32Mx16bit），形成一個(gè)32M×32bit（128MB） 的內(nèi)存。256MB內(nèi)存使用的是兩片K4X1G163PE（64Mx16bit），形成一個(gè)64M×32bit（256MB） 的內(nèi)存。而這兩款芯片在引腳上的差別就是K4X51163PG的F7是NC腳，而K4X1G163PE的F7腳是A13 。這個(gè)F7引腳在 128MB內(nèi)存版本的MINI6410中這個(gè)引腳是不連接的，而256MB版本中是通過(guò)一個(gè)0歐電阻和S3C6410的Xm1ADDR13相連的 。

看了這兩個(gè)內(nèi)存芯片和S3C6410（DRAM控制器）的數(shù)據(jù)手冊(cè) 的朋友一定知道，這種連接形成一個(gè)這樣的尋址關(guān)系：

128MB內(nèi)存版本：Xm1ADDR[15:14]（bank）：Xm1ADDR[12 :0]（行地址）：Xm1ADDR[9:0]（列地址） 。一共25根地址線剛好可尋址32M空間。256MB內(nèi)存版本：Xm1ADDR[15:14]（bank）：Xm1ADDR[13 :0]（行地址）：Xm1ADDR[9:0]（列地址） 。一共26根地址線剛好可尋址64M空間。而這兩種連接和芯片配置也要通過(guò)修改S3C6410的DRAM控制器的兩個(gè)寄存器的參數(shù)來(lái)匹配。

2、U-boot中內(nèi)存自適應(yīng)代碼應(yīng)處的位置
 
做好了以上的兩個(gè)知識(shí)準(zhǔn)備后，我們看看在u-boot中應(yīng)該在什么位置來(lái)識(shí)別和自適應(yīng)不同的內(nèi)存大小。
首先我們?cè)谧R(shí)別了內(nèi)存大小之后可能需要重新配置S3C6410的內(nèi)存控制器。這么一來(lái)，這些代碼不能在DDR中運(yùn)行。因?yàn)橐坏┲匦屡渲脙?nèi)存控制器，必然導(dǎo)致內(nèi)存暫時(shí)無(wú)法使用，如果代碼在DDR中CPU可能無(wú)法得到下一步的代碼。所以這些代碼要放在u-boot實(shí)現(xiàn)自拷貝到內(nèi)存之前的地方，其實(shí)***的地方就是在u-boot的SPL部分中初始化內(nèi)存控制器的代碼段中。

這些代碼就在：arch/arm/cpu/arm1176/s3c64xx/cpu_init.S

這個(gè)文件是匯編代碼，其中的函數(shù)mem_ctrl_asm_init是通過(guò)start.S中的“bl    lowlevel_init”------>/board/samsung/mini6410/lowlevel_init.S中的 lowlevel_init ”bl    mem_ctrl_asm_init”調(diào)用的。mem_ctrl_asm_init函數(shù)中的代碼對(duì)S3C6410的DRAM控制器進(jìn)行了初始化，并對(duì)外部的DDR內(nèi)存也進(jìn)行了初始化，所以內(nèi)存的識(shí)別和自適應(yīng)代碼應(yīng)該放在這些初始化之后。先識(shí)別內(nèi)存的大小，如果內(nèi)存大小和原先DRAM控制器的配置不相符，就修改DRAM控制器的配置。

3、內(nèi)存大小的識(shí)別

針對(duì)MINI6410的情況，我們只需要識(shí)別內(nèi)存是128MB還是256MB。由于這兩種內(nèi)存大小關(guān)系到DRAM控制器的兩個(gè)寄存器的參數(shù) ，所有我們必須先假設(shè)我們的內(nèi)存大小，再通過(guò)讀寫的方式來(lái)證明，如果證明我們的假設(shè)是錯(cuò)誤的，再修改寄存器的參數(shù)。

我移植的U-boot代碼中首先假設(shè)內(nèi)存是256MB，并先配置DRAM控制器為256MB內(nèi)存的參數(shù)。如果這時(shí)連接的是128MB內(nèi)存 ，那么就會(huì)有這樣一個(gè)有趣的現(xiàn)象：

由于Xm1ADDR[13 ] 沒(méi)有連接，所以DDR內(nèi)存的***個(gè)8M×32bit（32MB）和第二個(gè)8M×32bit（32MB）是鏡像關(guān)系，第三個(gè)8M×32bit（32MB）和第四個(gè)8M×32bit（32MB）是鏡像關(guān)系，以此類推。一共有四個(gè)這樣的鏡像關(guān)系，共256MB。如果連接的就是256MB的內(nèi)存就不會(huì)有這樣的現(xiàn)象。所以，只要我們證明了這種現(xiàn)象存在，就證明了我們其實(shí)連接的是128MB內(nèi)存，然后重新配置DRAM控制器為128MB內(nèi)存的參數(shù)就大功告成了。

所以我移植的U-boot代碼中首先寫一個(gè)32bit的測(cè)試數(shù)據(jù) 到***個(gè)8M×32bit（32MB）的某個(gè)位置 （比如0x0地址），然后就去第二個(gè)8M×32bit（32MB）相應(yīng)偏移位置讀取，如果數(shù)據(jù)一致就可以證明鏡像關(guān)系。但是還不保險(xiǎn)，如果就是這么巧（在連接 256MB的內(nèi)存的情況下）第二個(gè)8M×32bit（32MB）相應(yīng)位置本身就是這個(gè)數(shù)據(jù)怎么辦？不要緊，我們?cè)偃サ诙€(gè)8M×32bit（32MB）同一位置 寫入另一個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù) ，然后去***個(gè)8M×32bit（32MB）的那個(gè)位置（也就是一開(kāi)始的那個(gè)寫入位置）讀取數(shù)據(jù)，如果數(shù)據(jù)一致就完全可以證明鏡像關(guān)系。通過(guò)這樣的兩次測(cè)試，看看是否要重新配置DRAM控制器參數(shù)

但是我們不能 假設(shè)內(nèi)存是128MB ，并先配置DRAM控制器為128MB內(nèi)存的參數(shù)。如果連接的是256MB的內(nèi)存，沒(méi)有任何特殊的現(xiàn)象可以測(cè)試到。通過(guò)上面的尋址關(guān)系，如果連接的是256MB的內(nèi)存，只是第二、四、六、八（假設(shè)Xm1ADDR[13 ]一直是0 ）個(gè)8M×32bit（32MB）是沒(méi)法訪問(wèn)的（可以說(shuō)是內(nèi)存空洞），這個(gè)無(wú)法通過(guò)讀寫證明。（通過(guò)尋址關(guān)系推斷，未通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明）

4、關(guān)于內(nèi)存控制器的重配置

如果上面的步驟中測(cè)試出了鏡像的存在，我們必須重新配置兩個(gè)寄存器的值，但是如何重新配置，這個(gè)三星的數(shù)據(jù)手冊(cè)是沒(méi)有講的，我通過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)以下的步驟重新配置DRAM控制器：

1、將DRAM控制器設(shè)為暫停（Paused）狀態(tài)；

2、檢測(cè)P1MEMSTAT，直到確認(rèn)了暫停（Paused）狀態(tài)；

3、將DRAM控制器設(shè)為配置（Config）狀態(tài)；

4、檢測(cè)P1MEMSTAT，直到確認(rèn)了配置（Config）狀態(tài)；

5、修改需要重新配置的寄存器

6、將DRAM控制器設(shè)為啟動(dòng)（Go）狀態(tài)；

7、檢測(cè)P1MEMSTAT，直到確認(rèn)了就緒（Ready）狀態(tài)；

以上就是關(guān)于“Android中如何自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存大小”這篇文章的內(nèi)容，相信大家都有了一定的了解，希望小編分享的內(nèi)容對(duì)大家有幫助，若想了解更多相關(guān)的知識(shí)內(nèi)容，請(qǐng)關(guān)注億速云行業(yè)資訊頻道。