內(nèi)存性能的主要指標(biāo)是什么？這些因素對(duì)你的電腦影響極大

內(nèi)存對(duì)整機(jī)的性能影響很大，許多電腦運(yùn)行時(shí)都要依靠這些重要的內(nèi)存指標(biāo)。 那么，影響內(nèi)存性能的主要指標(biāo)有哪些呢？

一、 頻率

平常內(nèi)存條產(chǎn)品所說的頻率指的是傳輸頻率，如“DDR4 3200MHz” 。因?yàn)?/span> DDR 內(nèi)存是雙倍速率 (Double Data Rate) 之意，所以其核心頻率只有一半 (1600MHz ）。同樣相關(guān)的參數(shù)還有傳輸速率 (MT/s) 。 其它參數(shù)不變的情況下，頻率越高，性能越好。

二、 帶寬效率（利用率）

帶寬效率= 實(shí)際帶寬 / 帶寬理論值 *100% ， 一般來說，帶寬 越大越好 。 intel 8 代、 9 代 CPU 雙通道讀、寫帶寬效率需要 ≥90%~95% ，復(fù)制帶寬效率需要達(dá)到 ≥80~85% ，低于這個(gè)范圍屬于高頻低能

三、 單字讀延遲時(shí)間α

α=tCL*2000/ 頻率，一般約為 7.5~9ns ，越小越好 。 α 跟內(nèi)存顆粒類型以及體質(zhì)有關(guān)：顆?；蝮w質(zhì)越好 α 可以越?。ㄏ嗤妷喝?/span> B-die 顆粒表現(xiàn)最好） 。 降低α 方法： ① 提高頻率 + 降低 tCL ② 降低 Traning 中 RTL 值 。 根據(jù)以上公式得到：tCL=α* 頻率 /2000 ，可以用于粗略推算某一頻率下 tCL 值的范圍。

宏旺半導(dǎo)體總結(jié)一下， 無論什么顆粒，如果在頻率不變情況下，大幅降低tCL 值都需要提高 DIMM 、 VCCIO 和 VCCSA 電壓 ； 提高CPU 主頻、 Ring 頻率對(duì)于提升帶寬效率和降低延遲有幫助作用。

三、 容量

內(nèi)存的容量當(dāng)然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條DDR 內(nèi)存的容量有 128MB 、 256MB 、 512MB 、 1GB 和 2GB 等幾種。主板上通常都至少提供兩個(gè)內(nèi)存插槽，若安有多條內(nèi)存，則電腦內(nèi)存的總?cè)萘渴撬袃?nèi)存容量之和。

內(nèi)存就像公路，影響公路通行能力的條件有兩個(gè)：車道數(shù)、限速值（車道越多并行的車越多，車速越高，這條公路的通行能力就越強(qiáng) ）。 車速越高（就是內(nèi)存延遲越小）不管在多么寬的公路上都能提升性能；但車道數(shù)就不一定了，在CPU 不是太多核，不需要內(nèi)存太大帶寬的時(shí)候，內(nèi)存帶寬再大性能提現(xiàn)就不明顯（但看上面的公式，內(nèi)存的頻率越高影響延遲長短） 。

與其在內(nèi)存 性能 上糾結(jié)，還不如選個(gè)靠譜的品牌更為穩(wěn)妥 。 作為國內(nèi)資深存儲(chǔ)品牌，宏旺半導(dǎo)體推出的DDR4 SODIMM ，由專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)設(shè)計(jì)，工作電壓為 1.2V ，內(nèi)存時(shí)序?yàn)?/span> 17-17-17 ，工作溫度 0℃ 至 70℃ ， 260 - pin SODIMM 封裝，擁有高容量、高性能等優(yōu)勢(shì)，以及可靠性保障，可滿足電腦等主流市場的需求。 DDR4 有 2600 的頻率，超高頻率更適合扁平化生活的需求。同樣，兼容性之類的問題更是不用擔(dān)心，主流的安卓、 Windows 等平臺(tái)都沒有問題。