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武漢新芯50nm高性能SPI Nor Flash

發(fā)布時間：2020-08-06 22:53:12 來源：ITPUB博客 閱讀：166 作者：宇芯電子 欄目：服務(wù)器

武漢新芯一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝 SPI Nor Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。
 
XM25QWxxC產(chǎn)品系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封裝，在中高容量產(chǎn)品也將針對可穿戴設(shè)備等尺寸受限的應(yīng)用推出WLCSP封裝，協(xié)助客戶將空間利用發(fā)揮到極致。全線產(chǎn)品支持KGD解決方案，并為客戶提供RDL服務(wù)，滿足客戶定制化的SiP需求。
 

  武漢新芯50nm高性能SPI Nor Flash


XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)133MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），工作溫度范圍可達(dá)-40℃到105℃。在電源電壓下降后，時鐘速度沒有任何減慢，其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下能實現(xiàn)高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實現(xiàn)真正的XIP操作。
 
 
XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)的50nm FloaTIng Gate工藝，在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競爭力。針對快速發(fā)展的IoT和5G市場，武漢新芯將持續(xù)投入研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線，為客戶帶來更多高性價比的產(chǎn)品與解決方案。

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