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首先來看一下并口和串口的區(qū)別：
引腳的區(qū)別：
串口SRAM
（或其它存儲器）通常有如下的示意圖：
引腳只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8個，一般遵循SPI協(xié)議，
并口SRAM引腳很多，串口SRAM引腳很少。
大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串口協(xié)議的。并口的SRAM通常有如下的示意圖：
引腳密密麻麻接近50個，包含地址、IO、使能信號、電源等。
其中地址通常和容量有關系，這里是1Mb的容量，地址有16個（A15-A0）;
其中IO通常是8的倍數(shù)，這里是16個（IO15-IO0）;
使能信號CE#，WE#，OE#，BHE#，BLE#，請原諒我用#代替上劃線，上劃線根本無法輸入，MD；
電源信號：VCC/VSS.
電路分類的區(qū)別
并口SRAM是異步電路，沒有時鐘信號；
串口電路是同步電路，有時鐘信號。
再來看看并口SRAM的應用場合。
并口SRAM通常速度都比較快，應用在很多高速場合，比如作為CPU的高速緩沖存儲器（Cache），如下圖所示：
SRAM
處于計算機存儲器金字塔的最頂端，在速度上，SRAM>DRAM>NAND。因為SRAM的操作條件比較簡單，就是簡單的MOS管打開，相互fighting或者傳輸值的過程，用core電壓就可以實現(xiàn)。而DRAM要產(chǎn)生3v左右的高壓，NAND的操作電壓就更高了。
在面積上，SRAM存儲單元6個管子（6T），相對于DRAM的1T1C以及NAND的1T而言，又是最大的。所以在價格上也是SRAM>DRAM>NAND。
有時候SRAM也會作為寄存器的替代，因為SRAM存儲單元（6個管子）面積相對于寄存器（DFF）要小不少，如果在設計中需要用到幾百Byte，使用寄存器的面積可能比SRAM大上好幾倍。
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