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APP專項---內(nèi)存泄漏2

發(fā)布時間:2020-09-13 08:10:41 來源:網(wǎng)絡 閱讀:347 作者:愛與夢想 欄目:軟件技術

本次利用DDMS來測試。


adb devices,設備連接正常

啟動App,操作一會

啟動DDMS

APP專項---內(nèi)存泄漏2

左側,先找到剛才操作的App,選中

然后點擊左上角的show heap updates

APP專項---內(nèi)存泄漏2

然后,右側點擊 VM Heap-->Cause GC(主動進行一次垃圾清理)

關注data object-->Total Size

APP專項---內(nèi)存泄漏2

Used%也可以做參考,主要還是觀察 Total Size

APP專項---內(nèi)存泄漏2

繼續(xù)操作App

如果Total Size的值穩(wěn)定在一個有限的范圍(每次GC之后都會回落),

說明代碼良好,不存在內(nèi)存泄漏

反之,如果這個值越來越大,則說明存在內(nèi)存泄漏


如果出現(xiàn)內(nèi)存泄漏,Dump HPROF file

APP專項---內(nèi)存泄漏2


然后使用hprof-conv命令轉(zhuǎn)化一下,

?APP專項---內(nèi)存泄漏2

把轉(zhuǎn)化后的文件,放入一個目錄

然后,使用MAT分析

APP專項---內(nèi)存泄漏2

打開文件

APP專項---內(nèi)存泄漏2

APP專項---內(nèi)存泄漏2

APP專項---內(nèi)存泄漏2

Shallow Heap排序,倒序

APP專項---內(nèi)存泄漏2

在第一條上,右鍵,List objects--with incoming references

APP專項---內(nèi)存泄漏2

再排一下序,倒序

APP專項---內(nèi)存泄漏2

選擇第一條,右鍵,Path To GC Roots-->倒數(shù)第二項

APP專項---內(nèi)存泄漏2

分析一下最下面那個,有可能就是問題所在,提交個開發(fā)即可

APP專項---內(nèi)存泄漏2

向AI問一下細節(jié)

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